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IRFH5302TRPBF  与  BSC016N03LS G  区别

型号 IRFH5302TRPBF BSC016N03LS G
唯样编号 A-IRFH5302TRPBF A-BSC016N03LS G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 3.6 W 29 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.1mΩ@50A,10V 1.3mΩ
Qg-栅极电荷 - 131nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 65S
封装/外壳 PQFN(5x6) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 32A 100A
配置 - Single
长度 - 5.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 8.6ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 15V -
高度 - 1.27mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.6W(Ta),100W(Tc) 125W
典型关闭延迟时间 - 51ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 76nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 13ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 76nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH5302TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN(5x6)

暂无价格 0 当前型号
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